SK海力士此前認為，3D閃存的堆疊層數極限是500層，不過現在更加樂觀，認為在不遠的將來就能做到600層。
當然，為瞭做到這一點，需要在技術方面進行諸多創新和突破，比如SK海力士提出瞭原子層沉積(ALD)技術，進一步強化閃存單元屬性，可以更高效地存儲、釋放電荷，並且在堆疊層數大大增加後依然保持電荷一致性。
為瞭解決薄膜應力(film stress)問題，SK海力士引入瞭新的氮氧化物材料。
為瞭解決堆疊層數增加後存儲單元之間的幹擾、電荷丟失問題，SK海力士開發瞭獨立的電荷阱氮化物(CTN)結構，以增強可靠性。
另外針對DRAM內存發展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進到10nm以下。
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