4月份，臺積電宣佈斥資28.87億美元（折合187.19億元人民幣）擴充南京臺積電28nm產能，預計達到美元4萬片的生產規模。緊接著，聯電也召開線上會議，宣佈投資約135.3億元人民幣擴充在臺南科學園區的12吋廠Fab12的28nm產能。
這幾傢宣佈擴產的代工廠，都預計將在2022年開始正常生產。十多年前開發出的28nm工藝制程，在5nm先進制程被廣泛用在智能手機上的今天，依然熱度不減，甚至引發各個晶圓廠之前新一輪競爭。
值得註意的是，這次28nm產能的集體擴充，與當下備受關註的缺芯潮並無太大直接聯系。
代工巨頭臺積電的“轉折點”
依然是在摩爾定律的推動下，芯片工藝制程在2010年左右發展到28nm，彼時的半導體公司受金融危機影響元氣大傷，很多IDM公司或剝離制造業務或將更多的資源投資到芯片設計中，給晶圓代工廠帶來更多發展空間。
在78歲高齡的張忠謀重回歸臺積電後，臺積電在2011年成為首個量產28nm工藝制程的代工廠。當時的報道稱，臺積電推出的第一個版本的是低功耗28nmLP，采用傳統的SiON工藝，引入瞭多晶矽柵和二氧化矽硝酸鹽，適合低頻環境。
事實上，工藝制程發展到45nm時，核心面積減少導致單位面積密度增高，漏電問題更加嚴重，此時傳統的二氧化矽柵極介電質工藝遇到瓶頸，也就是臺積電所量產的第一代28nm產品，雖然能夠縮小芯片面積但並未解決高功耗的問題，因此業界普遍轉向瞭能夠降低漏電的HKMG（high-k絕緣層+金屬柵極）疊層技術。
而在選擇HKMG晶體管結構上，業界分成兩大陣營，一傢是以IBM為首的Gate-First工藝流派，其支持者還有英飛凌、NEC、GF、三星和意法半導體等芯片制造技術聯盟所屬成員。另一傢是以Intel、臺積電為代表的Gate-Last工藝流派。這兩種工藝流派各自都有需要攻克的難點，前者的PMOS管門限電壓難以控制，後者需要設計環節積極配合修改電路來提升管芯密度。盡管雙方都宣稱自己的工藝更適合HKMG晶體管，但未有實際產品出世證明誰更優越。
率先在2012年攻克瞭28nm HKMG制程的臺積電證明瞭更少人看好的 Gate-Last更具潛力與優勢，推出適用於高頻的28nm而後繼續向20nm前進。
臺積電工藝節點發展歷程，圖片源自臺積電官網
而這一次在HKMG上的選擇讓臺積電大獲全勝，營收與獲利屢創新高，將彼時最大競爭對手三星、GF遠遠甩在身後。在迅速轉向28nm的2012年，臺積電在第四季度財報會上表示：公司在這一年裡實現瞭創紀錄的營收和利潤，出貨量相比2011年增長瞭30倍。
到瞭2013年，三星、GF以及UMC的28nm HKMG才剛剛導入量產，而臺積電則利用先發優勢快速搶占客戶資源、占領市場，28nm出貨量持續攀升，甚至占據瞭超過80%的細分節點市場份額。
各晶圓廠28nm及以下的量產能力，圖片源自OMDIA
雖然摩爾定律指出，集成電路上可容納的晶體管數目大約每經過18個月便會增加一倍，處理器性能每隔兩年翻一倍，但並不意味著工藝節點發展到下一代時，上一代就失去存在的意義，對28nm而言更是如此。
效益最高、應用廣泛的黃金28nm
臺積電雖然早在2011年就實現瞭28nm的量產且一直在開發更加先進的工藝，但28nm卻始終是臺積電的核心業務，2016年營收占比26%，2017年和2018年占比23%，直到2020年，28nm的營收也依然占總營收的12.67%，僅次於7nm和16nm，需要用到EUV光刻機才能制造的5nm節點營收也隻占全年收入的7.72%。
28nm能夠支撐臺積電核心業務近十年，主要有兩個重要原因。一方面是先進制程中28nm成本效益高，往後需要FinEFT工藝的16/14nm節點，晶圓制造成本將增加至少50%，同時使用壽命比不上28nm節點，更先進的工藝成本更高，隻用擁有最大市場的智能手機才能承受如此昂貴成本。
另一方面，隨著28nm工藝的成熟，市場需求呈爆炸性增長，從最開始應用在手機處理器和基帶上，到後來在OOT盒和智能電視等更加廣泛的應用領域。
隨著個人集成電路時代的到來以及物聯網、5G等技術的演進，無論是用來改善手機屏幕的OLED驅動器，還是滿足物聯網設備的各種連接芯片，還是用在混合計算中心、無線基站以及自動駕駛汽車等專有領域的FPGA，高性能低功耗的28nm工藝都是理想的選擇。
放眼於全球，根據TrendForce調查研究，2020年28nm及以上制程的產品線更加廣泛，包括CMOS圖像傳感器、小尺寸面板驅動IC、射頻元件、電視系統單芯片、WiFi及藍牙芯片等眾多需求增長，28nm訂單持續爆滿。
還有一個重要原因是，盡管客戶更願意使用更加成熟的工藝和更低的成本制造，但8吋晶圓廠隨著設備折舊而數量大幅下降，即200mm晶圓利用率升高且產能增長緩慢，因此原本能夠用更加成熟制程的電子產品也被迫往28nm遷移。
擴產28nm是共識，缺芯潮隻是引爆點
晶圓代工廠們相繼宣佈擴產28nm，表面上看似乎與當下的缺芯潮密切相關，擴產已經發展成熟、效益最高的28nm產能，能更好更快地解決缺芯問題。
不過產能擴充往往需要較長的時間周期，這些28nm芯片至少明年才能正常生產，短時間內依然無法解決產能短缺的問題。實際上業界和市場早已對28nm做出評估，即使沒有這一次缺芯潮，依然會選擇擴產28nm工藝。
一位半導體行業資深人士告訴雷鋒網，擴產反應瞭業界對28nm工藝制程的共識，未來半導體行業的整體用量依然會繼續增加，包括車用、電源等方面，就整個晶圓廠目前28nm的產能，也沒有特別大，中芯國際目前28nm月產能大約在8萬片。
“產能遲早都要往前走，這次的缺芯潮是一個誘因，讓各個晶圓廠下定決心一起往前走。”
值得註意的是，去年年底我國國務院也發佈《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若幹政策》，政策顯示，國傢鼓勵的集成電路線寬小於28納米(含)，且經營期在15年以上的集成電路生產企業或項目，第一年至第十年免征企業所得稅。從某種程度上也證明瞭28nm的重要性。
或許28nm看上去沒有5nm、2nm高端，但適用范圍確實更加廣泛，人人都在關註更加先進的制程支撐智能手機這塊巨大的市場，但最先進的不一定適合所有，應用范圍最廣泛的不一定最先進。
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