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如果計劃順利，將會在2021年第二季度破土動工，2023年第四季度開始量產。
三星這座新的晶圓廠隻是純粹的生產設施，不包含研發中心，不過目前沒有說明會使用哪個工藝節點。據有關人士猜測，有可能成為美國本土第一座使用3nm工藝的晶圓廠。
目前三星在德克薩斯州奧斯汀有一座名為S2的晶圓廠，可以使用14LPP工藝。不知道這次的新晶圓廠是否就是去年媒體報道的擴建計劃。去年曾有報道指，三星計劃投資約100億美元進行瞭擴建，使用瞭EUV光刻設備，產能提升至每月7萬片，可以使用先進工藝制造芯片。由於三星在美國有大量客戶，包括英偉達、IBM、高通等，它們需要更先進的工藝來制造芯片，這也為三星建立新的晶圓廠帶來瞭動力。
三星提交給德克薩斯州主管部門的計劃裡，新的晶圓廠位於S2晶圓廠的旁邊，會在640英畝的場地上建造700萬平方英尺的生產設施。不會使用S2晶圓廠的任何設施，新晶圓廠將花費50.69億美元用於建築物等設施建設，以及99.31億美元用於半導體制造設備。原S2晶圓廠會繼續使用成熟工藝生產，以滿足其客戶的需求。
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