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實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那麼誇張，此前隻是技術探索階段，尋找到瞭可行的技術路徑。
現在2nm工藝才算是進入瞭研發階段，重點轉向瞭測試載具設計、光罩制作及矽試產等方向。
根據臺積電的說法，2nm工藝節點上，他們也會放棄FinFET晶體管結構，轉向GAA環繞柵極結構，此前三星更為激進，在3nm節點就會棄用GAA晶體管，不過這兩傢的GAA晶體管結構也不會一樣，孰優孰劣還沒定論。
在2nm節點，光刻工藝更加重要，EUV光刻是少不瞭的，但此前的EUV工藝還存在不少問題，臺積電的2nm節點也會重點改進EUV工藝，提高光刻中的質量及效率。
至於量產時間，臺積電的2nm工廠現在還在起步階段，此前消息稱是2023年試產2nm工藝，2024年量產。
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