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這樣一來，從112層提高到162層使得芯片的面積減少瞭40%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產70%的容量，直接大幅降低瞭閃存成本。
除瞭產能、成本上的改善，鎧俠的162層閃存還改進瞭架構，將控制電路放置於存儲陣列下方，不僅減少瞭核心面積，還提高瞭性能，工作速度2.4倍提升，延遲減少瞭10%，IO性能提升瞭66%，實現瞭性能、容量雙重提升。
鎧俠並沒有公佈162層3D閃存的量產時間，預期是要到2022年瞭，可能會在鎧俠、西數位於日本四日市的新建工廠量產。
2020年10越低，為瞭滿足日益增長的5G需求，鎧俠宣佈將投資1萬億日元，約合95億美元，在日本四日市再建一座3D閃存工廠，占地面積超過40000平方米，建成後將成為旗下最大的閃存工廠，也是該公司第七座閃存廠。
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