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與三星在3nm節點激進選擇GAA環繞柵極晶體管工藝不同，臺積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。
與5nm工藝相比，臺積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不論是5nm還是3nm工藝，甚至未來的2nm工藝，臺積電表示EUV光刻機的重要性越來越高，但是產能依然是EUV光刻的難題，而且能耗也很高。
劉德音提到，臺積電已經EUV光源技術獲得突破，功率可達350W，不僅能支持5nm工藝，甚至未來可以用於1nm工藝。
按照臺積電提出的路線圖，他們認為半導體工藝也會繼續遵守摩爾定律，2年升級一代新工藝，而10年則會有一次大的技術升級。
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