X-NAND 詳細介紹（PDF）
為瞭在每個存儲單元塞入更多的數據位，閃存已從 1-bit 的 SLC，逐漸發展到瞭 2、3、4-bit 的 MLC / TLC / QLC 。
此外還有 5-bit 的 PLC NAND 正在開發中，隻是我們無法早於 2025 年見到它的身影。
對於大多數網友來說，可能都知道 SLC NAND 閃存的速度和耐用性最佳，但成本也居高不下。
另一方面，盡管 TLC 和 QLC NAND 的速度相對較慢，但在 DRAM 和 SLC 緩存策略的加持下，其依然很適合用於制造更具成本效益的大容量 SSD 。
有趣的是，由 Andy Hsu 在 2012 年成立的閃存設計與半導體初創企業 Neo Semiconductor，宣稱能夠借助全新的的 X-NAND 閃存技術來獲得更高的性能與成本效益。
早在去年的閃存峰會上，外媒就已經報道過 X-NAND 。不過直到本月，這傢公司才被正式授予瞭兩項關鍵專利。
X-NAND 的特點，是在單個封裝中結合 SLC NAND 的性能優勢、以及多 bit 的存儲密度。
與傳統方案相比，X-NAND 可將閃存芯片的緩沖區大小減少多達 94%，使得制造商能夠將每個芯片的平面數量，從 2-4 個大幅增加到 16-64 個。
基於此，NAND 芯片可實現更高的讀取和寫入並行性能，進而甚至可提升 SLC NAND 的性能。
理論上，X-NAND 可將順序讀取速率提升至 QLC 的 27 倍、將順序寫入速率提升 15 倍、以及將隨機讀寫性能提升 3 倍。
同時得益於 NAND 芯片的更小、更低功耗，其制造成本也可控制到 QLC 相當。至於耐用性會有多大的改善，說起來就有些復雜瞭。即便如此，該公司還是聲稱會較傳統 TLC / QLC 閃存有所改善。
目前 Neo Semiconductor 正在尋求與三星、英特爾、美光、鎧俠、西部數據、SK 海力士等 NAND 制造商建立合作夥伴關系。截止發稿時，該公司已擁有 22 項相關專利。
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