意法半導體的首批 200mm SiC 晶圓片質量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷非常少。低缺陷率的取得離不開意法半導體碳化矽公司(前身是 Norstel 公司 ，2019 年被 ST 收購)在 SiC 矽錠生長技術開發方面的深厚積累和沉淀。除瞭晶圓片滿足嚴格的質量標準外 ，SiC 晶圓升級到 200mm 還需要對制造設備和整體支持生態系統進行升級更換。意法半導體正在與供應鏈上下遊技術廠商合作開發自己的制造設備和生產工藝。
意法半導體先進的量產碳化矽產品 STPOWER SiC 目前是在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩傢 150mm 晶圓廠完成前工序制造，後工序制造是在深圳（中國）和佈斯庫拉（摩洛哥）的兩傢封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導體佈局更先進的、高成本效益的 200mm SiC 量產計劃的組成部分 。SiC 晶圓升級到 200mm 屬於公司正在執行的 SiC 襯底建新廠和內部采購 SiC 襯底占比超 40% 的生產計劃。
意法半導體汽車和分立器件產品部總裁 Marco Monti 表示：“汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電氣化進程 ，SiC 晶圓升級到 200mm 將會給我們的汽車和工業客戶帶來巨大好處。隨著產量擴大，提升規模經濟效益是很重要的。在覆蓋整個制造鏈的內部 SiC 生態系統方面積累深厚的專業知識，可以提高我們的制造靈活性，更有效地控制晶圓片的良率和質量改進。”
據悉碳化矽是一種化合物半導體材料，在電動汽車和工業制造過程等重要的高增長的電力應用領域，與矽材料相比，碳化矽的本征特性可提供更高的性能和能效 。ST 在 SiC 領域的領先地位歸功於 25 年的專註和研發投入，擁有 70 多項專利。這項顛覆性技術可實現更高效的電能轉換，更小的更輕量化的設計，節省更多的系統設計總體成本，這些都是決定汽車和工業系統成功的關鍵參數和因素。與 150mm 晶圓相比 ，200mm 晶圓可增加產能，將制造集成電路可用面積幾乎擴大 1 倍，合格芯片產量是 150mm 晶圓的 1.8–1.9 倍。
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