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（來自：SK hynix）
從 96 層 NAND 閃存芯片開始，海力士一直在推動 4D 技術的發展。本文介紹的 176 層 NAND 芯片，已經發展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。
海力士 NAND 開發負責人 Jung Dal Choi 表示：“閃存行業正在努力改善技術，以實現高集成度和高產量。同時作為 4D NAND 的先驅，海力士將引領業內最高的技術和產能”。
性能方面，第三代 4D NAND 技術可提升單元讀取速度和數據傳輸速率，此外 176 層 NAND 閃存芯片采用瞭 2 分區單元陣列選擇技術。
其原理是將存儲單元分成瞭兩個部分，調用電阻更低、讀取速度更快。通過不增加處理數量的加速技術（確保數據調用請求能夠快速響應），第三代 4D NAND 還可將傳輸速率提升 33% 。
然後是能夠實時自動校正的超精密對準技術，其特點是能夠保障堆棧之間的電流穩定性，進而確保可靠的性能。
展望未來，海力士希望開發出基於 176 層 4D NAND 技術的 Tb 級產品。在此之前，美光已經發佈瞭 176 層 NAND，並且推出瞭基於英睿達品牌的產品。
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