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三星雖然已經開發出瞭2nm芯片，但尚未敲定投資計劃。三星曾透露：“我們計劃明年制造3nm GAA產品，並在2023年制造更先進的3nm GAA產品。”
今年5月，該公司曾宣佈將投資170億美元（約1098億人民幣）在美國建造能生產3nm的芯片代工廠，但目前三星還在考慮其工廠的具體選址。
對比來看，中國臺灣環境影響評估審查委員會在本周三批準瞭臺積電2nm芯片新廠建設。該新廠預計占地50英畝（約20公頃），將建在新竹工業園區，計劃在2024年實現商業化量產。除瞭在本地建新廠，臺積電也在考慮明年在美國亞利桑那州建設芯片廠，來生產3nm和4nm芯片。
一位業內人士稱：“臺積電在5nm和7nm芯片工藝技術商業化方面已經超過瞭三星，隨著臺積電生產更多先進制程芯片和提高資本支出，這一差距正在擴大。臺積電還在臺灣建設測試生產設施，以確保一定水平的2nm良率。”
英特爾在本周二宣佈將分別在2024年和2025年達到Intel 20A和Intel 18A節點。該公司在3月曾宣佈重新進入全球芯片代工市場，其精密加工工藝技術當前在7nm階段。
韓媒Businesskorea認為，三星正陷入夾在臺積電和英特爾之間的兩難困境。
結語：芯片代工持續先進制程之爭
作為芯片代工廠的龍頭，臺積電和三星一直在持續競爭，從2019年、2020年先後快速采用EUV光刻技術來突破7nm工藝，在2020年均實現量產5nm芯片，然後都開始計劃量產3nm芯片。
為瞭保持其市場優勢和市場占有率，芯片代工廠一邊忙著擴增成熟制程工藝的產能，一邊忙著推動先進制程工藝升級和投產，競爭激烈。
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