close
（來自：SK Hynix）
在 SK 海力士量產 DDR5 內存顆粒的同時，其合作夥伴也將於未來幾個月內陸續發佈首批 DDR5 內存模組。
值得一提的是，該公司將開始用極紫外光刻（EUV）技術來量產 1a nm 的 DRAM 內存顆粒，並專註於打造 64GB 以上的大容量服務器內存模組。
與 DDR4 內存相比，DDR5 將帶寬輕松提升瞭一倍以上。回想從 DDR3 到 DDR4 的 2013 年，初期的內存帶寬僅增加瞭 33%（1600 MHz 到 2133 MHz）。
隨著 DDR5 量產時代的開啟，SK 海力士希望將每個 DIMM 的帶寬增加 50% 以上（目前普遍可達到 4800 MT/s）。在提升性能和容量的同時，還兼顧瞭能效與成本效益。
展望未來，其它內存制造商還致力於將 DDR5 內存模組的頻率推升至 10000 MHz 以上。預計 2021 年內，我們就可看到 32 / 64 / 128GB 的單條容量，且速度在 4800 到 5600 MT/s 之間。
此前，美光的 DDR5 DRAM 顆粒已被英睿達、海盜船、金士頓、影馳、十銓、朗科、金邦、ZADAK、XPG、阿斯加特等內存模組制造商所采用。十銓曾表示，在液氮冷卻的情況下，DDR5 內存電壓還可提升至 2.6V 。
先前泄露的基準測試表明，DDR5 內存預計將帶來較 DDR4 翻倍的性能提升。鑒於 DDR4 內存已經被人超頻到瞭 7GHz 以上，我們對於 DDR5 時代的 10GHz 戰績也充滿瞭期待。
全站熱搜
留言列表
