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IBM 2nm工藝的基本情況昨天都報道過瞭，使用瞭GAA環繞柵極晶體管技術，密度可達3.33億晶體管/mm2，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預估臺積電3nm工藝的2.9晶體管/mm2要高，指甲蓋大小的芯片就有500億晶體管。
不過仔細算算的話，IBM 2nm工藝的晶體管密度優勢沒有多大，最終比臺積電3nm工藝領先多少還不好說，畢竟後者也有2nm GAA工藝沒發。
性能方面，IBM表示他們的2nm工藝在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。
還有一些細節，那就是IBM的2nm工藝的納米片為3層堆棧，高度75nm，寬度40nm，柵極長12nm，納米片高度5nm——裡面沒有一個參數是2nm的，因為2nm的命名還是沿用瞭傳統2D晶體管的標準。
在臺積電的2nm工藝還在研發階段沒有公佈技術細節的情況下，IBM這次在美國的實驗室率先推出瞭2nm技術是很有象征意義的，美國現在也在努力奪回半導體工藝領先地位，IBM的2nm工藝給瞭信心。
不過IBM量產2nm工藝的難度也不小，因為現在這個技術還是實驗室生產的，IBM沒有大規模生產的條件瞭，這次2nm工藝還有三星、Intel的參與，後面兩傢有可能吸納2nm工藝技術（至少是部分）。
根據IBM的說法，2nm工藝預計在2024年量產，這個時間點正好卡在臺積電2nm工藝量產的范圍內。
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