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由EPFL團隊創造的集成電路的損耗為1dB/m,是非線性集成光子材料的紀錄值。研究人員說,這種類型的超低損耗對於允許使用片上波導合成、處理和檢測光信號的集成光子學來說至關重要。這種低損耗將減少用於構建若幹應用中的芯片級光頻梳的功率預算。
新技術可以以創紀錄的低光損耗和小尺寸構建氮化矽集成光子電路,用來在一個5×5平方毫米的芯片上使用高質量因子的微諧振器開發一米長的波導。研究人員還報告說,他們的技術支持很高的制造產能,據說對工業生產至關重要。
光頻錐的應用包括相幹光收發器、低噪聲微波合成器、LiDAR、神經形態固定計算和光學原子鐘。該項目研究人員指出,他們期待看到他們的芯片設備被用於新興的應用,包括相幹激光雷達、光子神經網絡和量子計算。這類芯片通常由矽制成,但新技術的突破是基於氮化矽,目前還不清楚這些新的集成電路何時可能被集成到商業化的產品中。
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