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應用材料公司已經開發出瞭一種全新的材料工程解決方案--Endura Copper Barrier Seed IMS。它是一種集成材料解決方案，在高度真空環境下將 ALD, PVD, CVD, copper reflow, Surface treatment, interface engineering 和 metrology 這 7 種不同的工藝技術整合在 1 個系統中。
在該系統中使用瞭 selective ALD 替代瞭 conformal，消除瞭通孔接口處的高電阻率障礙。該解決方案還包括銅回流技術，在狹窄的特征中實現無空隙填充。通孔接觸界面的電阻降低瞭 50%，提高瞭芯片的性能和功耗，並使邏輯擴展繼續到 3 納米及以上。
應用材料公司高級副總裁兼半導體產品部總經理 Prabu Raja 說：“一個智能手機芯片有數百億個銅互連，佈線已經消耗瞭芯片三分之一的功率。在真空中整合多種工藝技術使我們能夠重新設計材料和結構，從而使消費者能夠擁有能力更強的設備和更長的電池壽命。這種獨特的集成解決方案旨在加速我們客戶的性能、功率和面積成本路線圖”。
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