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南大光電於5月31日晚間發佈公告，控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一傢存儲芯片制造企業的50nm閃存平臺上通過認證後，近日又在邏輯芯片制造企業55nm技術節點的產品上取得瞭認證突破，表明公司光刻膠產品已具備55nm平臺後段金屬佈線層的工藝要求。
不過南大光電沒有透露具體的客戶名字。
在光刻機市場上，國內自給率極低，歐美日等地區的廠商占據主要份額，JSR、信越化學等TOP5廠商占據全球87%的份額。
光刻膠有不同的技術類別，低端的中g線/i線光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴進口，是國內半導體的卡脖子技術之一。
雖然南大光電的ArF光刻膠現在通過的是55nm工藝認證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣，可用於90nm-14nm甚至7nm 技術節點制造工藝，廣泛應用於高端芯片制造（如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和雲計算芯片等）。
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