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三星的 8 納米射頻工藝技術是對已廣泛應用的射頻相關解決方案組合（包括 28 納米和 14 納米的射頻）的最新補充。自2017年以來，該公司通過為高端智能手機出貨超過5億顆移動射頻芯片，確立瞭其在射頻市場的領先地位。
三星電子代工技術開發團隊主管 Hyung Jin Lee 表示：“通過卓越的創新和工藝制造，我們已經加強瞭我們的下一代無線通信產品。隨著 5G mmWave 的擴大，三星的 8 納米射頻將成為在緊湊型移動設備上尋求長電池壽命和出色信號質量的客戶的絕佳解決方案”。
隨著持續擴展到先進節點，數字電路在性能、功耗和面積（PPA）方面有瞭明顯的改善，而模擬/射頻塊卻沒有享受到這樣的改善，原因是退行性組件，如窄線寬帶來的電阻增加。因此，大多數通信芯片往往看到射頻特性的退化，如接收頻率的放大性能惡化和功耗增加。
為瞭克服模擬/射頻擴展的挑戰，三星開發瞭一種 8 納米射頻專用的獨特架構，名為 RFextremeFET（RFeFET），可以在使用更少的功率的同時顯著改善射頻特性。與 14 納米射頻相比，三星的 RFeFET 補充瞭數字 PPA 的擴展，同時恢復瞭模擬/射頻的擴展，從而實現瞭高性能5G平臺。
三星的工藝優化最大限度地提高瞭通道流動性，同時最大限度地減少瞭寄生效應。由於RFeFET的性能得到極大改善，射頻芯片的晶體管總數和模擬/射頻塊的面積可以減少。
與14納米的射頻技術相比，由於RFeFET架構的創新，三星的8納米射頻工藝技術在射頻芯片面積減少35%的情況下，功率效率最高可提高 35%。
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