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資料圖（來自：TSMC）
近年來，阿斯麥（ASML）的 Twinscan NXE EUV 光刻機已經取得瞭長足進步，改善瞭光源性能、可用時間、以及生產力。
遺憾的是，EUV 掩膜部分仍面臨量產前的巨大挑戰。且除瞭臺積電，三星半導體也被迫尋找在供應缺乏下的 EUV 替代制造工藝。
芯片制造中使用的掩膜材料（通常為 6×6 英寸），能夠將可能落於基材表面上的顆粒隔離開，從而對芯片生產線上的晶圓提供額外的保護。
由於每套 EUV 標線片就需動用 30 萬美元的成本，因此降低與收益率相關的風險也尤為重要。
ASML 的 EUV Pellicle（圖自：Semiconductor Engineering）
早在 2019 年，ASML 就已經突出瞭首款 EVU 掩膜，並將技術授權給瞭三井化學。後者計劃於 2021 年 2 季度開始量產銷售，且 ASML 方面也未停止持續改進。
不過 Semiconductor Engineering 指出，迄今為止，隻有 ASML 推出瞭在商業上切實可行的 EUV 掩膜（基於 50nm 厚度的多晶矽）。
早在 2016 年，該公司就展示瞭在模擬的 175W 光源上實現的 78% 透射率，且當前已在出售效率高達 88% 的新一代掩膜。相信不久後，三井化學就會大量供應此類掩膜。
最後，AnandTech 提到 ASML 已經展示瞭透射率高達 90.6% 的原型。其不均勻性控制在瞭 0.2% 以內，且能夠在 400W 光源下將反射率控制在 0.005% 以下。
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