（來自：微博 @科技芯時空）
FinFET 技術方面，5LPP 和 4LPP 節點都是路線圖上的新節點，分別將於 2021 / 2022 年開啟大批量制造（HVM）。
GAA 技術方面，路線圖中看不到 3GAE，但出現瞭 3GAP 。在與三星取得聯系後，公司一位代表向 AnandTech 證實，3GAE 技術仍有望在 2022 年實現量產，但不是所有人都能夠用上。
此外從 PPT 來看，可知基於 MBCFET 的 3GAP 工藝將於 2023 年的某個時候，轉入大批量制造階段。
三星發言人稱：“至於 3GAE 工藝，我們一直在與客戶進行商議，預計可於 2022 年實現量產”。
AnandTech 預計，之所以沒有在公共路線圖中出現，或許是 3GAE 僅適用於三星自傢的 LSI 部門，就像其它一些早期節點那樣。即便如此，該公司還是在 PPT 上提到瞭上一代早期節點。
據悉，三星最初於 2019 年 5 月宣佈瞭基於 MBCFET 的 3GAE 和 3GAP 節點。 當時該公司承諾，與 7LPP 相比，3GAE 可提升 35% 的性能、減少 45% 的面積、同時降低 50% 的功耗。
然後，該公司宣佈瞭 3nm PDK v0.1 的可用性，當時宣稱將於 2021 年底開啟 3GAE 的量產。然而最新消息稱，受多方面因素的影響，三星已將之延期至 2022 年。
不過從好的一面來看，三星已於幾周前完成瞭首批 3nm 測試芯片的流片，且宣佈瞭與新制造技術兼容的 Synopsys EDA 工具。
AnandTech 指出，使用全新晶體管制造工藝，始終是一項艱巨的挑戰。除瞭新的電子設計自動化（EDA）工具，廠商還需動用全新的 IP，預計後續可聽到更多有關這方面的消息披露。
最後，盡管普通客戶似乎要等到 2023 年，才會用上三星的 3nm 制程。但新發佈的 4LPP 工藝，仍將於 2022 年滿足大部分客戶的需求。
由於 4LPP 依賴於熟悉的 FinFET 工藝，其面臨的設計挑戰，將較任何 3nm GAA 工藝要少得多。需要註意的是，三星已在 PPT 上，將其 5nm 和 4nm 節點，分別視作不同的工藝分支。
此前代工廠將 4LPE 視作 7LPP 的工藝演進，這或許是因為 4nm 提供瞭較 5nm 更顯著的功率、性能、面積、以及成本優勢（簡稱 PPAc），亦或存在其它實質性的內部變化（比如新材料、極紫外 / EUV 光刻等顯著提升）。
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