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如果蘋果繼續一年一代芯片，那麼到2023年使用3nm Plus工藝的，將會是“A17”。
臺積電沒有透露3nm Plus相比於3nm有何變化，但是顯然會有更高的晶體管密度、更低的功耗、更高的運行頻率。
按照臺積電的說法，3nm工藝相比於5nm可帶來最多70％的晶體管密度增加，或者最多15％的性能提升，或者最多30％的功耗降低。
此外，臺積電最近在2nm工藝上取得瞭重大內部突破，預計有望在2023年下半年進行風險性試產，2024年投入量產，同時繼續挺進1nm工藝。
臺積電在3nm工藝上將延續FinFET(鰭式場效應晶體管)，2nm上則會首次引入全新的MBCFET(多橋通道場效應晶體管)，也就是納米片(nanosheet)，可視為從二維到三維的跨越，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。
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